阳江纳米晶铁芯创新服务

    而对于纳米线与薄膜之间通过人为“自上而下”的方法进行原位、灵活可操控、高精度、低温的键合技术尚没有发现相关报道。技术实现要素：针对上述问题，本发明提出一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法。实现上述技术目的，达到上述技术效果，本发明通过以下技术方案实现：一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法，将纳米线分散到具有多孔薄膜结构的透射电镜(tem)样品上，之后放入tem中，选取自由端突出到多孔薄膜孔洞中的纳米线片段，在tem的原位观察下按如下方法进行键合处理：(1)纳米线削尖：选择合适束斑尺寸和电流密度的聚焦电子束，对纳米线自由端中心轴位置进行辐照，对其进行切割削尖；(2)纳米线弯钩：将聚焦电子束束斑扩大，从偏离中心轴一侧对纳米线进行辐照，纳米线前列朝另一侧发生弯钩变形，直至纳米线前列接触到多孔薄膜待键合位置；(3)纳米线键合：当纳米线前列接触到多孔薄膜待键合位置时，立即将电子束束斑的尺寸进一步扩大，同时移动束斑位置，使弯曲的纳米线片段及待键合多孔薄膜均处在电子束辐照范围之内，将纳米线键合到多孔薄膜上。作为本发明的进一步改进，所述的多孔薄膜的孔径大小超过250nm。作为本发明的进一步改进。纳米晶铁芯铁芯功率密度大，可以达到15 kW～20kW/kg。阳江纳米晶铁芯创新服务

    进而能够令装设有该纳米晶磁芯成品的共模电感在高频环境中具有更好的滤波作用，也能够有效降低其损耗。具体实施方式为了更好的理解本发明，下面将结合一些实施例进一步阐述本发明的内容。各个不同实施例之间可以进行相互组合，以构成未在以下描述中示出的其他实施例。实施例一本实施例中，实验人员采用热处理方法加工处理纳米晶磁芯的具体步骤如下：步骤一、将待处理的纳米晶磁芯放置在真空炉内并抽真空；步骤二、温度由室温升温至480℃，并保温60min；步骤三、温度由480℃升温至550℃，并保温80min；步骤四、将真空炉的炉体温度降至350℃，待炉体温度降至350℃之后取出纳米晶磁芯半成品；步骤五、将步骤四中取出的纳米晶磁芯半成品放置在横磁炉内；步骤六、温度由室温升温至400℃，并保温120min，同时在保温过程中进行加横磁处理，其中，横磁炉处施加的磁场强度为1300gs；步骤七、将横磁炉的炉温降至350℃，待横磁炉的炉温降至350℃之后，取出纳米晶磁芯成品。可以理解的，上述第一阶段的过程可描述为：首先，实验人员将待处理的纳米晶磁芯放置在真空炉内，之后对该真空炉进行抽真空处理，以保护真空炉内的纳米晶磁芯，防止其被氧化；然后。梅州纳米晶铁芯值得推荐饱和磁通密度：铁基纳米晶除了比铁基非晶略低一点外，明显优于钴基非晶和铁氧体。

    能够更牢固地结合变形部彼此及第二变形部彼此。例9.在例8的方法中，还可以成为，形成多个冲裁部件的步骤包括：当利用第四冲头冲裁金属板而形成冲裁部件时，用对应的按压突起按压变形部的凹部的侧壁面和底壁面中的一方，并且用对应的第二按压突起按压第二变形部的凹部的侧壁面和底壁面中的一方。但是，当按压突起的形状与变形部的凹部的形状大致一致时，需要使按压突起相对于对应的变形部高精度地定位。同样地，当第二按压突起的形状与第二变形部的凹部的形状大致一致时，需要使第二按压突起相对于对应的第二变形部高精度地定位。但是，根据例9的方法，由于及第二按压突起分别按压对应的及第二变形部的凹部的一部分壁面，因此不需要一定高精度地进行及第二按压突起的定位。因此，能够更低成本且有效地制造层叠铁芯。例10.在例5～例9的任意一种方法中，还可以为，包括：在形成多个冲裁部件的步骤之前，利用第五冲头在金属板上形成多个第二贯穿孔的步骤，构成层叠体的步骤包括：以在高度方向上相邻的冲裁部件彼此之间多个第二贯穿孔彼此重叠的方式层叠多个冲裁部件，而构成沿着高度方向贯穿层叠体并延伸且在中心孔的周围排列的多个磁体插入孔的步骤，作为主部。

    本发明属于微纳材料加工领域，具体涉及一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法。背景技术：广义上讲，键合技术是通过在两材料界面间发生化学反应而键合在一起的技术。键合技术应用于mems器件、集成电路ic领域，是一项充满活力的高新技术，对我国新技术的发展有十分重要的意义。在mems和微电子制造中，键合技术成为微加工中重要的工艺之一，它是微系统和ic系统封装技术中重要的组成部分。目前，随着mems和微电子电路集成度的逐步提高，进一步要求在更小的纳米尺度范围内实现其可操控键合技术，或者说要能够在纳米材料与薄膜之间进行可操控的键合技术。其中，纳米线是一种典型的一维纳米材料，长径比大，不仅可以通过彼此间的焊接作为微纳器件的功能性构筑单元，而且还适合通过纳米线与薄膜之间的键合作为器件封装的互连引线等，因此在微纳器件制备、封装领域展现出的应用前景。关于纳米线与纳米线之间的焊接或融合，目前文献中已经有一些相关研究(参见文献：；2.许胜勇，电子显微学报，2007，26:563；)。但是，关于纳米线与薄膜之间的键合或互连相关技术，现有文献中更多地是通过“自下而上”的方法在衬底表面自组装生长纳米线，研究关注点在于纳米线本身。纳米晶的居里温度高，温度达到100℃以上时，铁氧体变压器已经不能工作，纳米晶变压器完全可以正常工作。

    转子层叠铁芯1可以通过所谓的旋转层叠来构成。所谓的“旋转层叠”是指使冲裁部件w彼此之间的角度相对地错开来层叠多个冲裁部件w。实施旋转层叠主要目的是抵消转子层叠铁芯1的板厚偏差。旋转层叠的角度可以设定为任意的大小。在各副部1c分别设置有一个变形部部分13。具体而言，如图3所示，变形部部分13具有：在转子层叠铁芯1的除了构成下层的冲裁部件w之外的其它层的冲裁部件w的副部1c形成的变形部13a(第二变形部)、以及在转子层叠铁芯1的构成下层的冲裁部件wo的副部1c形成的贯穿孔13b。变形部13a由形成于冲裁部件w的表面侧的凹部和形成于冲裁部件w的背面侧的凸部构成。一个冲裁部件w的变形部13a的凹部与在该一个冲裁部件w的表面侧相邻的另一个冲裁部件w的变形部13a的凸部接合。一个冲裁部件w的变形部13a的凸部与在该一个冲裁部件w的背面侧相邻的另一个冲裁部件w的变形部13a的凹部接合。与转子层叠铁芯1的构成下层的冲裁部件wo相邻的冲裁部件wn的变形部13a的凸部与贯穿孔13b接合。贯穿孔13b具有如下作用，即：在连续制造转子层叠铁芯1时，防止后形成的冲裁部件w因变形部13a而与已制成的转子层叠铁芯1紧固。在主部1b中的各角部。认为合适而使用非晶合金制导致变压器铁芯，并组装成的变压器，即称为非晶合金变压器或非晶合金铁芯变压器。湛江纳米晶铁芯技术指导

纳米晶是在非晶态的基础上，通过特殊的热处理，让它形成晶核并长大，这时形成的结构就是纳米晶。阳江纳米晶铁芯创新服务

    实验人员采用热处理方法加工处理纳米晶磁芯的步骤如下：步骤一、将待处理的纳米晶磁芯放置在真空炉内并抽真空；步骤二、温度由室温升温至490℃，并保温80min；步骤三、温度由490℃升温至555℃，并保温90min；步骤四、将真空炉的炉体温度降至300℃，待炉体温度降至300℃之后取出纳米晶磁芯半成品；步骤五、将步骤四中取出的纳米晶磁芯半成品放置在横磁炉内；步骤六、温度由室温升温至410℃，并保温120min，同时在保温过程中进行加横磁处理，其中，横磁炉处施加的磁场强度为1200gs；步骤七、将横磁炉的炉温降至300℃，待横磁炉的炉温降至300℃之后，取出纳米晶磁芯成品。以规格为30*20*10的纳米晶磁芯成品为例，常规磁芯与本实施例中纳米晶磁芯成品的性能对比如下：可以理解的，在高频环境下，相比于常规磁芯，本实施例中纳米晶磁芯成品的导磁率及q值更优异，进而该纳米晶磁芯成品应用于高频环境时拥有更好的滤波作用及更低的损耗。实施例三本实施例中，实验人员采用热处理方法加工处理纳米晶磁芯的步骤如下：步骤一、将待处理的纳米晶磁芯放置在真空炉内并抽真空；步骤二、温度由室温升温至480℃，并保温60min；步骤三、温度由480℃升温至555℃，并保温90min。阳江纳米晶铁芯创新服务

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