吉林电路板特种封装技术

封装基板的主流生产技术，主要的积层精细线路制作方法，半导体封装基板层间互联、积层精细线路制作方法是从高密度互联/积层多层（High Density Interconnection/Build up Multilayer，HDI/BUM）衍生而来，HDI/BUM板制造工艺技术种类繁多，通过可生产性、可靠性和成本等各方面的优胜劣汰和市场选择，目前比较成熟的工艺集中在3-5种。早期的集成电路封装基板由于封装芯片I/O数有限，其主流制作技术是印制电路板制造通用技术—蚀刻铜箔制造电子线路技术，属于减成法。QFP 封装是一种塑料封装方式，通常用于高频、低功率的场合。吉林电路板特种封装技术

目前，引线键合技术因成本相对低廉，仍是主流的封装互联技术，但它不适合对高密度、高 频有要求的产品。倒装焊接技术适合对高密度、高频及大电流有要求的产品，如电源管理、智能 终端的处理器等。TAB 封装技术主要应用于大规模、多引线的集成电路的封装。半导体(包括集成电路和分立器件)其芯片的封装已经历了好几代的变迁，从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到MCP再到SIP，技术指标一代比一代先进，包括芯片面积与封装面积之比越来越接近于1，适用频率越来越高，耐温性能越来越好，引脚数增多，引脚间距减小，重量减小，可靠性提高，使用更加方便等等。封装(Package)可谓种类繁多，而且每一种封装都有其独特的地方，即它的优点和不足之处，当然其所用的封装材料、封装设备、封装技术根据其需要而有所不同。甘肃半导体芯片特种封装型式BOX封装通常由一个硅基底上的多个直插式器件组成，并通过压轴或贴片方式固定在导热介质上。

到目前为止，世界半导体封装基板业历程可划分为三个发展阶段：1989-1999，头一发展阶段：是有机树脂封装基板初期发展的阶段，此阶段以日本抢先占领了世界半导体封装基板绝大多数市场为特点；2000-2003，第二发展阶段：是封装基板快速发展的阶段，此阶段中，我国中国台湾、韩国封装基板业开始兴起，与日本逐渐形成'三足鼎立'瓜分世界封装基板绝大多数市场的局面。同时有机封装基板获得更加大的普及应用，它的生产成本有相当大的下降；2004年以后，第三发展阶段：此阶段以FC封装基板高速发展为鲜明特点，更高技术水平的MCP(多芯片封装)和SiP(系统封装)用CSP封装基板得到较大发展。世界整个半导体封装基板市场格局有较大的转变，中国台湾、韩国占居了PBGA封装基板的大部分市场。而倒装芯片安装的PGA、BGA型封装基板的一半多市场，仍是日本企业的天下。

按基板的基体材料，基板可分为有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）及复合系三大类。一般来说，无机系基板材料具有较低的热膨胀系数，以及较高的热导率，但是具有相对较高的介电常数，因此具有较高的可靠性，但是不适于高频率电路中使用；有机系基板材料热膨胀率稍高，散热较差，但是具有更低的介电常数，且质轻，便于加工，便于薄型化。同时由于近几十年内聚合物材料的不断发展，有机系基板材料的可靠性有极大提升，因此己经被普遍应用。SOP (Small Outline Package)，SOP 封装是一种塑料封装方式，通常用于低频、低功率的场合。

目前许多单片机和集成芯片都在使用这种封装，由于此封装自带突出引脚，在运输焊接过程中需要小心，防止引脚弯曲或损坏。QFN封装，QFN是一种无引线四方扁平封装，是具有外设终端垫以及一个用于机械和热量完整性暴露的芯片垫的无铅封装。在芯片底部大多数会设计一块较大的地平面，对于功率型IC，该平面会很好的解决散热问题，通过PCB的铜皮设计，可以将热量更快的传导出去，该封装可为正方形或长方形。封装四侧配置有电极触点，由于无引脚，贴装占有面积比QFP小，高度比QFP低，为目前比较流行的封装类型。一般芯片封装已经在各个集成电路封装测试工厂批量生产。江西防爆特种封装工艺

使用金属 TO 外壳封装可实现 25Gbit/s 以上传输速率。吉林电路板特种封装技术

贴片封装SMD：1、晶体管外形封装（D-PAK），这种封装的MOSFET有3个电极，其中漏极引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作为漏极。2、小外形封装（SOP），SOP封装的应用范围很广，而且以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）。3、方形扁平封装（QFP），LQFP是薄型 QFP，管脚细，距离短，一般用在大规模集成电路。吉林电路板特种封装技术