山西COB封装流程

随着科技的不断进步，半导体行业正经历着一场由微型化和集成化驱动的变革。系统级封装（System in Package，简称SiP）技术，作为这一变革的主要，正在引导着行业的发展。SiP技术通过将多个功能组件集成到一个封装中，不只节省了空间，还提高了性能，这对于追求高性能和紧凑设计的现代电子产品至关重要。Sip技术是什么？SiP（System in Package）技术是一种先进的封装技术，SiP技术允许将多个集成电路（IC）或者电子组件集成到一个单一的封装中。这种SiP封装技术可以实现不同功能组件的物理集成，而这些组件可能是用不同的制造工艺制造的。SiP技术的关键在于它提供了一种方式来构建复杂的系统，同时保持小尺寸和高性能。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。山西COB封装流程

PiP (Package In Package)， 一般称堆叠封装又称封装内的封装，还称器件内置器件，是在同一个封装腔体内堆叠多个芯片形成3D 封装的一种技术方案。封装内芯片通过金线键合堆叠到基板上，同样的堆叠，通过金线再将两个堆叠之间的基板键合，然后整个封装成一个元件便是PiP（器件内置器件）。PiP封装技术较初是由KINGMAX公司研发的一种电子产品封装技术，该技术整合了PCB基板组装及半导体封装制作流程，可以将小型存储卡所需 要的零部件（控制器、闪存集成电路、基础材质、无源计算组件）直接封装，制成功能完整的Flash存储卡产 品。PiP一体化封装技术具有下列技术优势：超大容量、高读写速度、坚固耐用、强防水、防静电、耐高温等， 因此常运用于SD卡、XD卡、MM卡等系列数码存储卡上。山西COB封装流程SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装。

SiP 与其他封装形式又有何区别？SiP 与 3D、Chiplet 的区别Chiplet 可以使用更可靠和更便宜的技术制造，也不需要采用同样的工艺，同时较小的硅片本身也不太容易产生制造缺陷。不同工艺制造的 Chiplet 可以通过先进封装技术集成在一起。Chiplet 可以看成是一种硬核形式的 IP，但它是以芯片的形式提供的。3D 封装就是将一颗原来需要一次性流片的大芯片，改为若干颗小面积的芯片，然后通过先进的封装工艺，即硅片层面的封装，将这些小面积的芯片组装成一颗大芯片，从而实现大芯片的功能和性能，其中采用的小面积芯片就是 Chiplet。 因此，Chiplet 可以说是封装中的单元，先进封装是由 Chiplet /Chip 组成的，3D 是先进封装的工艺手段，SiP 则指代的是完成的封装整体。通过 3D 技术，SiP 可以实现更高的系统集成度，在更小的面积内封装更多的芯片。不过，是否采用了先进封装工艺，并不是 SiP 的关注重点，SiP 关注系统在封装内的实现。

SIP工艺解析：装配焊料球，目前业内采用的植球方法有两种：“锡膏”+“锡球”和“助焊膏”+“锡球”。(1)“锡膏”+“锡球”，具体做法就是先把锡膏印刷到BGA的焊盘上，再用植球机或丝网印刷在上面加上一定大小的锡球。(2)“助焊膏”+“锡球”，“助焊膏”+“锡球”是用助焊膏来代替锡膏的角色。分离，为了提高生产效率和节约材料，大多数SIP的组装工作都是以阵列组合的方式进行，在完成模塑与测试工序以后进行划分，分割成为单个的器件。划分分割主要采用冲压工艺。不同的芯片，排列方式，与不同内部结合技术搭配，使SiP 的封装形态产生多样化的组合。

SiP以后会是什么样子的呢？理论上，它应该是一个与外部没有任何连接的单独组件。它是一个定制组件，非常适合它想要做的工作，同时不需要外部物理连接进行通信或供电。它应该能够产生或获取自己的电力，自主工作，并与信息系统进行无线通信。此外，它应该相对便宜且耐用，使其能够在大多数天气条件下运行，并在发生故障时廉价更换。随着对越来越简化和系统级集成的需求，这里的组件将成为明天的SiP就绪组件，而这里的SiP将成为子系统级封装（SSiP）。SiP就绪组件和SSiP将被集成到更大的SiP中，因为系统集成使SiP技术越来越接近较终目标：较终SiP。在当前时代，Sip系统级封装（System-in-Package）技术崭露头角。山西COB封装流程

SiP封装方法的应用领域逐渐扩展到工业控制、智能汽车、云计算、医疗电子等许多新兴领域。山西COB封装流程

SiP封装工艺介绍，SiP封装技术采取多种裸芯片或模块进行排列组装，若就排列方式进行区分可大体分为平面式2D封装和3D封装的结构。相对于2D封装，采用堆叠的3D封装技术又可以增加使用晶圆或模块的数量，从而在垂直方向上增加了可放置晶圆的层数，进一步增强SiP技术的功能整合能力。而内部接合技术可以是单纯的线键合（Wire Bonding），也可使用覆晶接合（Flip Chip），也可二者混用。目前世界上先进的3D SiP 采用 Interposer（硅基中介层）将裸晶通过TSV（硅穿孔工艺）与基板结合。山西COB封装流程