SIP封装技术

SiP是使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路器件（IC、MOS等）以及各类无源元件如电阻、电容等集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。由于SiP电子产品向高密度集成、功能多样化、小尺寸等方向发展，传统的失效分析方法已不能完全适应当前技术发展的需要。为了满足SiP产品的失效分析，实现内部互连结构和芯片内部结构中失效点的定位，分析技术必须向高空间分辨率、高电热测试灵敏度以及高频率的方向发展。典型的SiP延用COB工艺，将电路板的主要器件塑封（COB），再把COB器件以元器件贴片到FPC软板上。SiP是使用成熟的组装和互连技术，把各种集成电路器件集成到一个封装体内，实现整机系统的功能。SIP封装技术

SiP主流的封装结构形式，SiP主流的封装形式有可为多芯片模块(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封装，2D封装中有Stacked Die Module、Substrate Module、FcFBGA/LGA SiP、Hybrid（flip chip+wirebond）SiP-single sided、Hybrid SiP-double sided、eWLB SiP、fcBGA SiP等形式；2.5D封装中有Antenna-in-Package-SiP Laminate eWLB、eWLB-PoP&2.5D SiP等形式；3D结构是将芯片与芯片直接堆叠，可采用引线键合、倒装芯片或二者混合的组装工艺，也可采用硅通孔技术进行互连。浙江陶瓷封装定制SiP 在应用终端产品领域（智能手表、TWS、手机、穿戴式产品、智能汽车）的爆发点也将愈来愈近。

SiP 封装种类，SiP涉及许多类型的封装技术，如超精密表面贴装技术（SMT）、封装堆叠技术，封装嵌入式技术、超薄晶圆键合技术、硅通孔（TSV）技术以及芯片倒装（Flip Chip）技术等。 封装结构复杂形式多样。SiP几种分类形式，从上面也可以看到SiP是先进的封装技术和表面组装技术的融合。SiP并没有一定的结构形态，芯片的排列方式可为平面式2D装和立体式3D封装。由于2D封装无法满足系统的复杂性，必须充分利用垂直方向来进一步扩展系统集成度，故3D成为实现小尺寸高集成度封装的主流技术。

SIP工艺解析：表面打标，打标就是在封装模块的顶表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码等，主要介绍激光印码。测试，它利用测试设备(Testing Equipment)以及自动分选器(Handler)，测定封装IC的电气特性，把良品、不良品区分开来;对某些产品，还要根据测试结果进行良品的分级。测试按功能可分为DC测试(直流特性)、AC测试(交流特性或timing特性)及FT测试(逻辑功能测试)三大类。同时还有一些辅助工序，如BT老化、插入、拔出、实装测试、电容充放电测试等。预计到2028年，SiP系统级封装市场总收入将达到338亿美元，年复合增长率为8.1%。

随着科技的不断进步，半导体行业正经历着一场由微型化和集成化驱动的变革。系统级封装（System in Package，简称SiP）技术，作为这一变革的主要，正在引导着行业的发展。SiP技术通过将多个功能组件集成到一个封装中，不只节省了空间，还提高了性能，这对于追求高性能和紧凑设计的现代电子产品至关重要。Sip技术是什么？SiP（System in Package）技术是一种先进的封装技术，SiP技术允许将多个集成电路（IC）或者电子组件集成到一个单一的封装中。这种SiP封装技术可以实现不同功能组件的物理集成，而这些组件可能是用不同的制造工艺制造的。SiP技术的关键在于它提供了一种方式来构建复杂的系统，同时保持小尺寸和高性能。随着SIP封装元件数量和种类增多，在尺寸受限或不变的前提下，要求单位面积内元件密集程度必须增加。浙江陶瓷封装定制

先进封装的制造过程中，任何一个环节的失误都可能导致整个封装的失败。SIP封装技术

电镀镍金：电镀是指借助外界直流电的作用，在溶液中进行电解反应，是导电体（例如金属）的表面趁机金属或合金层。电镀分为电镀硬金和软金工艺，镀硬金与软金的工艺基本相同，槽液组成也基本相同，区别是硬金槽内添加了一些微量金属镍或钴或铁等元素，由于电镀工艺中镀层金属的厚度和成分容易控制，并且平整度优良，所以在采用键合工艺的封装基板进行表面处理时，一般采用电镀镍金工艺，铝线的键合一般采用硬金，金线的键合一般都用软金。SIP封装技术